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STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。
瑞薩電子推出的下一代磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 利用一種稱為垂直磁隧道結 STT(自旋轉移矩)的專有技術,其非易失性存儲性能優(yōu)于其他同類產(chǎn)品,具有數(shù)據(jù)保持時間長、串行和并行接口速度快等特點。 瑞薩電子的 MRAM具有多種存儲密度,能在較高的溫度下工作,適合許多應用場景,例如需要快速備份檢索數(shù)據(jù)的工廠自動化設備、需要長期存儲數(shù)據(jù)的醫(yī)療數(shù)據(jù)單元等。
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