世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點”。從那時起，計算機內(nèi)存開始使用磁存儲技術并經(jīng)歷了數(shù)代演變，相關系統(tǒng)包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅(qū)動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。
 
計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。SRAM不需要周期性刷新就能鎖存“0”和“1”信號，影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。
 
MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用，MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM，在某些應用設計中會出現(xiàn)內(nèi)置RAM不足的情況，需要對STM32單片機進行外擴RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量的單片機，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用國產(chǎn)SRAM芯片EMI7064.
 
我司英尚微介紹以下SRAM芯片作為外擴的考慮
 
1.串口SRAM芯片：這種封裝是SOP-8的串口SRAM芯片，一般推薦用EMI7064這一款，容量可以達到64Mbit,占用占用單片機的I/O腳位比較少，較多的應用在各類產(chǎn)品中，性價比比較高的一款SRAM芯片產(chǎn)品。
 
2.并口SRAM芯片：一般并口SRAM芯片占用單片機的I/O腳位比較多，可能在應用設計中需要讀取速度較快的可以考慮用這種，數(shù)據(jù)讀取速度可以達到8NS，因為是屬于六個晶體管的設計，在價格上比較貴，適合用于以下大型工控類產(chǎn)品，服務器，金融醫(yī)療等產(chǎn)品。
 
3. 偽靜態(tài)SRAM芯片（也稱PSRAM）：這款封裝一般是BGA的，容量同樣可以達到64Mbit,速度一般在70ns左右，價格相對比并口SRAM芯片要便宜。
 
總體來看，一般看應用設計對外擴SRAM芯片的數(shù)據(jù)讀取速度要求多少，容量以及性價比來選擇SRAM芯片。

Part Number	Vcc Range	MHz (max)	Density	Temp. Ranges	Package
EMI7064LSME	1.6V~2.0V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSMI	2.7V~3.3V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSME	2.7V~3.3V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064LSMI	1.6V~2.0V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC

本文關鍵詞：MCU,外擴SRAM,SRAM,EMI7064

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