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MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

2019-12-23 10:08:53

everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備,由131,072個8位字組成。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序,沒有寫延遲,并且讀/寫壽命不受限制。
 
與其他串行存儲器不同,讀取和寫入都可以在內存中隨機發生,而兩次寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用,MR25H10是理想的存儲器解決方案。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標志封裝。兩者均與串行EEPROM,閃存和FeRAM產品兼容。該系列產品中的MR25H10CDF,MR25H10CDC可用于替換Cypress的型號FM24V10.
 
MR25H10可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供工業(-40°至+85°C)和AEC-Q1001級(-40°C至+125°C)工作溫度范圍選項。
 
對于必須使用最少數量的引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用,MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001級合格選項。40MHz的讀寫速度,具有無限的耐力。數據非易失性,保留20年。數據保留掉電。符合RoHS的軟件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•無寫入延遲
•無限的寫續航力
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•塊寫保護
•快速,簡單的SPI接口,時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標準的小標志
包裝
•直接替換串行EEPROM,閃存,FeRAM
•AEC-Q1001級選件

1Mb串口MRAM芯片其他型號如下:
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V Industrial
1Mb 128Kx8 MR25H10CDCR 8-DFN 3.3v Industrial
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial
1Mb 128Kx8 MR25H10CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1
1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1
1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1

我司供應不同容量的MRAM芯片產品,型號可參考以下鏈接:

http://m.xjqudao.cn/list-180-1.html

 本文關鍵詞:everspin  SPI MRAM  MR25H10 

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